PubbliTesi - La Tesi: Crescita localizzata di nanostrutture di silicio per la fabbricazione di dispositivi elettronici

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PubbliTesi - La Tesi Crescita localizzata di nanostrutture di silicio per la fabbricazione di dispositivi elettronici

Scheda Sintetica

Autore: Stefano Piersanti Relatore: Elia Palange Università: Università degli Studi de L’Aquila Facoltà: Facoltà di Ingegneria Corso: Corso di Laurea magistrale in Ingegneria delle telecomunicazioni Data di Discussione: 14/12/2009 Voto: 110 Disciplina: Nanotecnologia Lingua: Italiano Grande Area: Area Scientifica

Descrizione: I recenti sviluppi delle nanoscienze riguardo la comprensione delle proprietà fisiche delle nanostrutture, come nanofili di semiconduttore, hanno importanti implicazioni nella realizzazione di nuovi dispositivi. Un metodo ottimale per il posizionamento di un largo numero di nanostrutture su circuito non è stato ancora definito ed un paradigma sia bottom-up che top-down potrebbe essere una delle tecniche più promettenti per la fabbricazione di array di nanodispositivi a livello industriale. Nel presente lavoro verranno presentati i risultati sulle crescite localizzate di nanofili di silicio direttamente su un film di ossido di silicio, attraverso il meccanismo VLS. Per testare la scalabilità di questa tecnica è stata implementata un’appropriata sequenza di processi.

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